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分立半导体

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BSM400GA120DN2

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库存:26,183(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,495.9957
1495.9957
5
¥1,460.0391
7300.1955
10
¥1,423.7661
14237.661
25
¥1,403.7877
35094.6925
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
550 A
Pd-功率耗散
2.7 kW
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
36.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM400GA120DN2HOSA1 SP000100728
商品其它信息
优势价格,BSM400GA120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 25A Bridge Rectifier
1:¥28.589
10:¥24.2837
100:¥21.0519
250:¥19.9784
500:¥17.8992
参考库存:4116
分立半导体
MOSFET N-Channel MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.1696
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
参考库存:13259
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3.0 Amp 40 Volt
1:¥3.9211
10:¥2.9606
100:¥2.2035
500:¥1.808
750:¥1.4012
参考库存:6811
分立半导体
MOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
1:¥5.9212
10:¥4.9155
100:¥3.1753
1,000:¥2.5425
4,000:¥2.5425
参考库存:8233
分立半导体
SCR SCR 600V 70A
1:¥52.3303
10:¥47.0984
25:¥42.9513
100:¥38.7251
参考库存:4021
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