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分立半导体
BC860BE6327HTSA1参考图片

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BC860BE6327HTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF Transistor
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库存:25,781(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.5368
1.5368
10
¥1.4238
14.238
100
¥0.49946
49.946
1,000
¥0.32996
329.96
3,000
¥0.25312
759.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
250 mV
最大直流电集电极电流
200 mA
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC860
直流电流增益 hFE 最大值
450
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
集电极连续电流
100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
330 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
860B BC BC86BE6327XT E6327 SP000010642
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BC860BE6327HTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR 1200V 55A Isolated
1:¥51.4828
10:¥46.33
25:¥42.262
50:¥41.1885
参考库存:5024
分立半导体
MOSFET 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
1:¥8.8366
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
1,000:¥4.0341
2,500:¥4.0341
参考库存:6562
分立半导体
MOSFET N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
3,000:¥6.4523
6,000:查看
参考库存:8478
分立半导体
肖特基二极管与整流器 150V 2A Schottky Barrier Rectifier
1:¥3.2996
10:¥2.2939
100:¥1.05316
1,000:¥0.81473
3,000:¥0.69156
参考库存:34512
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
2,500:¥4.1923
10,000:查看
参考库存:7597
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