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分立半导体

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BSM300GB120DLC

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数量单价合计
1
¥1,819.413
1819.413
5
¥1,775.6142
8878.071
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
625 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2500 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM300GB120DLCHOSA1 SP000095949
商品其它信息
优势价格,BSM300GB120DLC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥195.0154
200:¥178.9581
500:¥170.3588
参考库存:20381
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18:¥788.2202
36:¥751.4952
54:¥736.0481
108:¥709.4592
参考库存:20387
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