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分立半导体

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BSM200GD60DLC

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数量单价合计
1
¥2,094.6584
2094.6584
5
¥2,044.2491
10221.2455
10
¥1,993.5347
19935.347
25
¥1,965.5672
49139.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.45 V
在25 C的连续集电极电流
226 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
700 W
封装 / 箱体
EconoPACK 3A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM200GD60DLCBOSA1 SP000100395
商品其它信息
优势价格,BSM200GD60DLC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:26674
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100:¥137.2385
200:¥125.9385
500:¥119.8704
参考库存:26677
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥166.9688
250:¥153.2167
500:¥145.8378
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暂无价格
参考库存:26686
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