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分立半导体
BSZ042N04NS G参考图片

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BSZ042N04NS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥8.8366
8.8366
10
¥7.5484
75.484
100
¥5.7969
579.69
500
¥5.1302
2565.1
5,000
¥3.5934
17967
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
4.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
BSZ042N04NSGATMA1 BSZ42N4NSGXT SP000388300
商品其它信息
优势价格，BSZ042N04NS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
K1V22-7061
Shindengen
分立半导体
高压触发二极管 SIDAC K1V series (Bi-directional)
2,500:¥7.7631
5,000:¥6.7574
10,000:¥6.5879
参考库存:32714
S25DR
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 200V 25A REV Leads Std. Recovery
500:¥37.8098
1,000:¥32.883
2,500:¥31.6626
参考库存:32717
TS10P03GHD2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 10A, 200V, SIL BRIDGE RECTIFIER
1,200:¥5.1867
2,400:¥4.7008
4,800:¥4.5991
9,600:¥4.2149
参考库存:32720
CLL5244B
Central Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 500mW Zener Diode 14V 600Ohm 10Vr
17,500:¥0.36838
25,000:¥0.34578
参考库存:32723
TS6P01G D2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 6A, 50V, SIL BRIDGE RECTIFIER
1,200:¥4.3844
2,400:¥4.2827
参考库存:32726
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