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分立半导体

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FF400R33KF2C

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数量单价合计
1
¥9,870.1771
9870.1771
5
¥9,712.4178
48562.089
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
3300 V
集电极—射极饱和电压
3.4 V
在25 C的连续集电极电流
660 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
4.8 kW
封装 / 箱体
IHM
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
140 mm
宽度
130 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
2
子类别
IGBTs
零件号别名
FF400R33KF2CNOSA1 SP000100614
商品其它信息
优势价格,FF400R33KF2C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.5594
12,000:¥1.4577
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12:¥782.9996
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60:¥746.5006
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9,000:¥0.9379
18,000:¥0.89157
参考库存:32923
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.3334
12,000:¥1.2543
24,000:¥1.1865
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1,250:¥5.7969
2,500:¥5.3788
5,000:¥5.1754
10,000:¥4.7912
参考库存:32929
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