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分立半导体

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BSM100GD120DN2

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数量单价合计
1
¥1,902.1742
1902.1742
5
¥1,856.3753
9281.8765
10
¥1,810.2713
18102.713
25
¥1,784.9141
44622.8525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
680 W
封装 / 箱体
EconoPACK 3A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM100GD120DN2BOSA1 SP000100365
商品其它信息
优势价格,BSM100GD120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 400 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
1:¥3.0736
10:¥2.147
100:¥1.4577
500:¥1.1639
5,000:¥0.75258
10,000:查看
参考库存:9959
分立半导体
整流器 100 Volt 1.0A 150ns 30 Amp IFSM
1:¥3.616
10:¥2.0453
100:¥1.09836
500:¥0.88366
7,500:¥0.51528
参考库存:9193
分立半导体
稳压二极管 22 Volt 1.3 Watt
1:¥2.2261
10:¥1.4803
100:¥0.72998
500:¥0.62263
5,000:¥0.32318
10,000:查看
参考库存:26113
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN LOW VCE(SAT)
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
参考库存:8692
分立半导体
稳压二极管 4.3 Volt 0.5 Watt 5%
1:¥1.6159
10:¥1.3899
100:¥0.59212
500:¥0.49155
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:11478
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