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分立半导体
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BSM20GP60

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数量单价合计
1
¥653.0609
653.0609
5
¥641.0716
3205.358
10
¥612.2566
6122.566
25
¥591.8262
14795.655
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
130 W
封装 / 箱体
EconoPIM2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM20GP60BOSA1 SP000100377
商品其它信息
优势价格，BSM20GP60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
GBJ2506-05-G
Comchip Technology
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桥式整流器 RECT BRIDGE 25A 600V
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC807L_BC807LW - 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors
10,000:¥0.13786
30,000:¥0.13108
50,000:¥0.11526
100,000:¥0.09266
参考库存:52441
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参考库存:52444
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JFET JFET N-Channel -25V 10mA 360mW 3.27mW
309:¥23.052
500:¥20.6677
1,000:¥17.4472
2,500:¥16.5997
参考库存:52447
BZX84W-B2V4F
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 BZX84W-B2V4 SC-70
10,000:¥0.20792
30,000:¥0.1921
50,000:¥0.18419
100,000:¥0.16159
参考库存:52450
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