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分立半导体
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BSM30GP60

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数量单价合计
1
¥775.0896
775.0896
5
¥760.8742
3804.371
10
¥726.6013
7266.013
25
¥702.3967
17559.9175
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.45 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
180 W
封装 / 箱体
EconoPIM2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM30GP60BOSA1 SP000100378
商品其它信息
优势价格，BSM30GP60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N4689UR-1E3
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1N4741CE3/TR13
Microsemi
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稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
5,000:¥6.1811
10,000:¥5.7065
参考库存:25631
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