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分立半导体

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BSM35GD120DLCE3224

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库存:25,202(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥912.7801
912.7801
5
¥895.9544
4479.772
10
¥855.6925
8556.925
25
¥827.1035
20677.5875
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
280 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM35GD120DLCE3224BOSA1 SP000100390
商品其它信息
优势价格,BSM35GD120DLCE3224的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器
2,200:¥4.9494
2,600:¥4.6217
5,000:¥4.4522
参考库存:25563
分立半导体
稳压二极管 .25W 5% Lw Noise/Lvl
10,000:¥1.808
30,000:¥1.7289
50,000:¥1.7063
参考库存:25566
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A,90V,SINGLE SCHOTTKY RECTIFIER
2,000:¥2.7007
参考库存:25569
分立半导体
整流器 600V 50A REV Leads Super Fast Recovery
200:¥122.4807
250:¥111.644
500:¥104.4233
参考库存:25572
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -100V -3A 40W
5,000:¥1.6385
10,000:¥1.6159
参考库存:25575
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