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分立半导体
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BSM50GP120

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库存:2,422(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,356.00
1356
5
¥1,323.4108
6617.054
10
¥1,290.5278
12905.278
25
¥1,272.4704
31811.76
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
360 W
封装 / 箱体
EconoPIM3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM50GP120BOSA1 SP000100379
商品其它信息
优势价格,BSM50GP120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 800 Volt 4.0 Amp Glass Passivated
1:¥10.6785
10:¥9.605
100:¥7.6501
500:¥6.4297
参考库存:4107
分立半导体
双向可控硅 8A 双向可控硅
1:¥11.6842
10:¥9.9101
100:¥7.91
500:¥6.9269
2,500:¥5.3449
5,000:查看
参考库存:7170
分立半导体
变容二极管 Ls=.45nH Single SOD-882
1:¥4.4522
10:¥3.9211
100:¥3.0171
250:¥2.4521
3,000:¥1.7176
6,000:查看
参考库存:3174
分立半导体
稳压二极管 200MW 7.5V
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:5944
分立半导体
稳压二极管 500MW 22V
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:5976
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