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分立半导体

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BSM50GX120DN2

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库存：24,364(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥960.274
960.274
5
¥941.4482
4707.241
10
¥897.4912
8974.912
25
¥878.6654
21966.635
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
78 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
Pd-功率耗散
400 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM50GX120DN2BOSA1 SP000100372
商品其它信息
优势价格，BSM50GX120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1PMT4126C/TR7
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥6.8252
6,000:¥6.5653
9,000:¥6.0681
参考库存:24553
JANTX1N4135DUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥203.40
250:¥186.7212
500:¥177.6586
参考库存:24556
JANTXV1N4121D-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥193.7159
250:¥177.7264
500:¥169.2062
参考库存:24559
JAN1N4469CUS
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥185.0262
250:¥169.8164
500:¥161.59
参考库存:24562
JANTXV1N4148UBD/TR
Microsemi
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关
100:¥227.0622
200:¥208.3946
参考库存:24565
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