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分立半导体
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QS6M3TR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6
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数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥3.2544
32.544
100
¥1.9775
197.75
1,000
¥1.5255
1525.5
3,000
¥1.5029
4508.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-457T-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V, 20 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
260 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
QS6M3
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
18 ns, 12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns, 12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns, 45 ns
典型接通延迟时间
7 ns, 10 ns
零件号别名
QS6M3
商品其它信息
优势价格，QS6M3TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
81CNQ035A
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 80 Amp 35 Volt Common Cathode
200:¥87.1343
600:¥81.5295
1,000:¥74.8399
参考库存:26732
BCW67BE6327HTSA1
Infineon Technologies
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥2.0792
10:¥1.4238
100:¥0.59212
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.31527
参考库存:26735
CDLL4486/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
1:¥84.6031
10:¥76.84
25:¥71.1561
50:¥67.3141
100:¥65.3931
参考库存:26738
2N335A
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥508.1384
2:¥498.8498
5:¥493.1546
10:¥478.2499
参考库存:26741
1N5955A
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
278:¥25.6623
500:¥22.9729
1,000:¥19.3682
2,500:¥18.4416
参考库存:26744
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