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分立半导体
QS6M3TR参考图片

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QS6M3TR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6
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库存:24,338(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥3.2544
32.544
100
¥1.9775
197.75
1,000
¥1.5255
1525.5
3,000
¥1.5029
4508.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-457T-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V, 20 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
260 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
QS6M3
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
18 ns, 12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns, 12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns, 45 ns
典型接通延迟时间
7 ns, 10 ns
零件号别名
QS6M3
商品其它信息
优势价格,QS6M3TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 200V Single
1:¥4.6104
10:¥3.8307
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
4,000:¥1.5368
参考库存:6684
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Power SW
1:¥69.8453
10:¥69.2351
25:¥63.0088
100:¥56.8616
参考库存:2748
分立半导体
肖特基二极管与整流器 REC FP 25A 45V SHTKY
1:¥8.2942
10:¥7.0512
100:¥5.4127
500:¥4.7912
参考库存:4107
分立半导体
桥式整流器 400V 1.5A
1:¥3.9211
10:¥3.2092
100:¥1.9549
1,000:¥1.5142
2,500:¥1.2882
参考库存:11406
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODE 30V
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
8,000:¥0.22261
24,000:查看
参考库存:34315
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