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分立半导体
RGPR10BM40FHTL参考图片

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RGPR10BM40FHTL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT
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数量单价合计
1
¥11.4469
11.4469
10
¥9.831
98.31
100
¥7.5032
750.32
500
¥6.6331
3316.55
1,000
¥5.2319
5231.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
460 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
10 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
107 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGP
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
0.6 mA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
零件号别名
RGPR10BM40FH
商品其它信息
优势价格,RGPR10BM40FHTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 RECTIFIER DIODE SMD 1000VOLT
1:¥3.3787
10:¥2.2148
100:¥1.4916
500:¥1.2317
3,000:¥0.7684
9,000:查看
参考库存:11494
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80 V, 1 A NPN medium power transistors
1:¥3.3787
10:¥2.1696
100:¥0.9379
1,000:¥0.71416
3,000:¥0.54579
参考库存:15286
分立半导体
桥式整流器 GBPC GPP 50A 1000V Rect. Bridge Diode
1:¥26.894
10:¥21.6734
100:¥19.7524
250:¥17.8314
参考库存:4699
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 4A 40V
1:¥5.6048
10:¥4.633
100:¥2.9945
1,000:¥2.3843
参考库存:5848
分立半导体
整流器 100V 1A Fast
1:¥1.7628
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
5,000:¥0.26894
参考库存:21586
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