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分立半导体
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ZTD09N50DE6QTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V Dual NPN Low Sat 1A 7V Vebo
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1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.7178
57.178
100
¥3.6838
368.38
1,000
¥2.9493
2949.3
3,000
¥2.9493
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-26-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
24 mV
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
215 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTD09N50
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 at 10 mA, 2 V
Pd-功率耗散
700 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
15 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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500:¥3.6838
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9,000:查看
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50:¥484.3971
100:¥467.9556
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10,000:¥0.9605
20,000:¥0.89948
50,000:¥0.80682
参考库存:20100
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