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分立半导体
ZXTN25100DGQTA参考图片

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ZXTN25100DGQTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V NPN High Gain 180V 85mOhm
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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.3788
53.788
100
¥4.1358
413.58
500
¥3.6612
1830.6
1,000
¥2.8815
2881.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
180 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
120 mV
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
175 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN25100
直流电流增益 hFE 最大值
900 at 10 mA, 2 V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
300 at 10 mA, 2 V
Pd-功率耗散
1.2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，ZXTN25100DGQTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CZRUR36VB-HF
Comchip Technology
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1:¥2.6894
10:¥1.7176
100:¥0.77631
1,000:¥0.49155
4,000:¥0.37629
参考库存:34927
HER301G R0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 3A,50V, G.P. HIGH EFFICIENT RECTIFIER
1:¥3.7629
10:¥3.1527
100:¥2.3617
500:¥1.7289
1,250:¥1.7289
参考库存:34930
RS1DHR3G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 200V, GP FR SMD RECTIFIER
1:¥3.7629
10:¥3.4578
100:¥2.2487
1,000:¥0.75258
1,800:¥0.62263
参考库存:34933
CDBA1100LR-HF
Comchip Technology
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODES SCHOTTKY 100V 1A SMA
1:¥3.6838
10:¥2.4069
100:¥1.469
1,000:¥0.9831
5,000:¥0.84524
参考库存:34936
CZRER2V4B-HF
Comchip Technology
分立半导体
稳压二极管 0.15W, VR=2.4V
1:¥2.6894
10:¥1.7176
100:¥0.77631
1,000:¥0.49155
4,000:¥0.37629
参考库存:34939
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