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分立半导体
QS8K11TCR参考图片

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QS8K11TCR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 4V Drive Nch+Nch Si MOSFET
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库存:4,215(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.763
5.763
10
¥4.8364
48.364
100
¥3.1188
311.88
1,000
¥2.8589
2858.9
3,000
¥2.599
7797
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSMT-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.5 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms, 35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
7 nC, 7nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
2.2 S, 2.2 S
下降时间
7 ns, 7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns, 25 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns, 25 ns
典型接通延迟时间
10 ns, 10 ns
零件号别名
QS8K11
商品其它信息
优势价格,QS8K11TCR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY BARRIER FLT LD 1.6x3.5mm
1:¥3.3787
10:¥2.2487
100:¥1.4012
500:¥1.2543
3,000:¥0.78422
9,000:查看
参考库存:9447
分立半导体
MOSFET UniFET 500V 4A
1:¥7.1416
10:¥6.102
100:¥4.6895
500:¥4.1471
2,500:¥2.8928
10,000:查看
参考库存:6378
分立半导体
MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
1:¥14.0572
10:¥11.9102
100:¥9.5259
500:¥8.3733
1,000:¥6.9043
参考库存:5315
分立半导体
IGBT 晶体管 USB Port Multimedia Switch
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥15.7522
250:¥14.9838
参考库存:5264
分立半导体
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench SyncFET
1:¥10.6785
10:¥9.1417
100:¥6.9947
500:¥6.1811
1,000:¥4.8816
2,500:¥4.8816
参考库存:5082
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