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ZXMN10A08E6TC

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10,000
¥2.0566
20566
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-26-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1.9 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
1.3 mm
长度
3.1 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZXMN10
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.8 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
2.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.2 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
3.4 ns
单位重量
15 mg
商品其它信息
优势价格，ZXMN10A08E6TC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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