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分立半导体
BSS192P H6327参考图片

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BSS192P H6327

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数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4691
34.691
100
¥2.1244
212.44
1,000
¥1.6385
1638.5
2,000
¥1.4012
2802.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
190 mA
Rds On-漏源导通电阻
7.7 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
- 6.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
系列
BSS192
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
2.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
190 mS
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.2 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
4.7 ns
零件号别名
BSS192PH6327FTSA1 SP001047642
商品其它信息
优势价格,BSS192P H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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1:¥12.6786
10:¥10.4525
100:¥8.0682
500:¥6.8817
800:¥6.8817
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1:¥91.8238
10:¥83.5296
25:¥77.2242
50:¥73.0771
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1:¥43.2564
10:¥34.804
100:¥31.7304
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1:¥7.1416
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
2,500:¥2.4973
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1:¥70.7719
10:¥63.6981
50:¥58.0933
100:¥52.4094
参考库存:38093
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