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ZXMS6005DN8Q-13参考图片

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ZXMS6005DN8Q-13

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数量单价合计
1
¥10.2152
10.2152
10
¥8.6784
86.784
100
¥6.7235
672.35
500
¥5.9438
2971.9
1,000
¥4.6895
4689.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1.2 A
Rds On-漏源导通电阻
350 mOhms, 350 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
Pd-功率耗散
1.56 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
15 us
产品类型
MOSFET
上升时间
10 us
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 us
典型接通延迟时间
5 us
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格，ZXMS6005DN8Q-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSZL52C5V6 RW
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 5.6 Volt 200mW 5%
20,000:¥0.34578
24,000:¥0.32996
48,000:¥0.30736
100,000:¥0.26894
参考库存:37174
CMPSH-3 BK
Central Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diode Schottky
3,500:¥1.5594
10,500:¥1.5029
24,500:¥1.4464
45,500:¥1.4238
参考库存:29690
ES1H F2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 500V, SUPER FAST SM RECTIFIER
15,000:¥0.76049
22,500:¥0.68365
45,000:¥0.60681
97,500:¥0.50737
参考库存:37179
MBRH200200(R)
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 200(A)Schottky Diode Module
50:¥350.2322
100:¥345.6218
250:¥326.2649
参考库存:37182
GBU20M
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
桥式整流器
2,500:¥5.0963
5,000:¥4.9155
参考库存:37185
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  • 正品保障
  • 价格优势
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