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分立半导体
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BSO211PHXUMA1

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数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.4975
64.975
100
¥4.9946
499.46
500
¥4.407
2203.5
2,500
¥3.0849
7712.25
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4.6 A
Rds On-漏源导通电阻
54 mOhms, 54 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
- 10 nC, - 10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
BSO211
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
8 S, 8 S
下降时间
27 ns, 27 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns, 13 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns, 23 ns
典型接通延迟时间
9 ns, 9 ns
零件号别名
BSO211P H SP000613844
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格，BSO211PHXUMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DRC3144G0L
Panasonic
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
10,000:¥0.56839
20,000:¥0.53788
参考库存:25530
VS-ST303C08LFN1
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 515 Amp 800 Volt 995 Amp IT(RMS)
1:¥1,380.1255
5:¥1,346.9261
10:¥1,313.5007
25:¥1,295.0591
参考库存:25533
DRA3124T0L
Panasonic
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
10,000:¥0.56839
20,000:¥0.53788
参考库存:25536
VS-T85HF120
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1200 Volt 85 Amp
1:¥270.3977
5:¥258.2615
10:¥250.1933
25:¥229.9098
参考库存:25539
NTMFS4C53NT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V
暂无价格
参考库存:25542
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