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分立半导体
BSS84WQ-7-F参考图片

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BSS84WQ-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -50V Enh FET 10Ohm -5Vgs -130mA
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数量单价合计
1
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2.8476
10
¥2.0566
20.566
100
¥0.94468
94.468
1,000
¥0.72207
722.07
3,000
¥0.61472
1844.16
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
130 mA
Rds On-漏源导通电阻
10 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
BSS84
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
0.05 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格，BSS84WQ-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZG03B56-HM3-18
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稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.5594
12,000:¥1.4577
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参考库存:32923
BZG04-100-M3-18
Vishay
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稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.3334
12,000:¥1.2543
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1,250:¥5.7969
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5,000:¥5.1754
10,000:¥4.7912
参考库存:32929
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