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分立半导体
RD3H200SNTL1参考图片

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RD3H200SNTL1

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Nch 45V 20A TO-252 (DPAK)
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库存：3,713(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.6614
76.614
100
¥5.8873
588.73
500
¥5.198
2599
2,500
¥5.198
12995
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
45 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
20 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
RD3H200SN
商品其它信息
优势价格，RD3H200SNTL1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSZ0901NSI
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
5,000:¥3.7064
10,000:查看
参考库存:26188
SUM110P06-07L-E3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 60V 110A 375W
1:¥28.3517
10:¥23.5153
100:¥19.3682
250:¥18.7467
800:¥18.7467
参考库存:13156
RB060L-40TE25
ROHM Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 40V 2A
1:¥3.9211
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1865
1,500:¥1.1865
参考库存:4214
BSO110N03MSGXUMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 12.1A DSO-8 OptiMOS 3M
1:¥6.3732
10:¥5.3449
100:¥3.4465
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.7685
参考库存:14144
RN1413(TE85L,F)
Toshiba
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor
1:¥2.4634
10:¥1.5707
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.33787
参考库存:10161
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