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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	1.2 kV
集电极—射极饱和电压	2.5 V
在25 C的连续集电极电流	135 A
栅极—射极漏泄电流	100 nA
Pd-功率耗散	781 W
封装 / 箱体	T-Max-3
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	Through Hole
栅极/发射极最大电压	30 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs

商品其它信息

优势价格，APT50GF120B2RG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
JANTXV1N4117D-1	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 Voltage Regulator	100:¥193.7159 250:¥177.7264 500:¥169.2062	参考库存:23638
JANS1N4110-1/TR	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管	50:¥494.0812 100:¥483.6287	参考库存:23641
JAN1N6320CUS	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode	100:¥261.7984 250:¥240.2832	参考库存:23644
1N4751AP/TR8	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode	1,500:¥10.2152 4,500:¥9.831 9,000:¥9.2999	参考库存:23647
JAN1N5543CUR-1/TR	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管	100:¥248.8825 200:¥228.4408	参考库存:23650