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分立半导体
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SD56120

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 14 Amp
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数量单价合计
1
¥1,229.9824
1229.9824
5
¥1,200.399
6001.995
10
¥1,170.5783
11705.783
25
¥1,154.2159
28855.3975
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
14 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M246
封装
Tube
配置
Dual
高度
5.08 mm
长度
29.08 mm
工作频率
1 GHz
系列
SD56120
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.97 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
3 S
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
217 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
60
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格，SD56120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBZ5257BS-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 200MW 33V
3,000:¥0.49946
9,000:¥0.44522
24,000:¥0.41471
参考库存:28522
US1D-M3/61T
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1A,200V,50NS,UF RECT,SMD
12,600:¥0.5989
23,400:¥0.56048
参考库存:28525
BAT960,115
Nexperia
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4,000:¥0.45313
8,000:¥0.3842
24,000:¥0.3616
48,000:¥0.33787
100,000:¥0.29154
参考库存:28528
1N5266A
Microsemi
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334:¥21.2892
500:¥19.1309
1,000:¥16.0573
2,500:¥15.2098
参考库存:28531
MURS360-M3/9AT
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 3A,600V,50NS,UF Rect, SMD
7,000:¥1.5933
参考库存:28534
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