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分立半导体
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R6008ANX

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A
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数量单价合计
1
¥21.6734
21.6734
10
¥18.4416
184.416
100
¥14.7578
1475.78
500
¥12.9046
6452.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
800 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
21 nC
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
封装
Bulk
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
2.5 S
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
R6008ANX
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，R6008ANX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC55-10PASX
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45V/60V/80V 1A NPN medium power trans
3,000:¥0.63732
9,000:¥0.58421
24,000:¥0.54579
45,000:¥0.49155
99,000:¥0.46895
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A2G22S160-01SR3
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800:¥18.984
2,400:¥17.9783
4,800:¥17.289
参考库存:25294
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