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分立半导体
BSS84P H6433参考图片

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BSS84P H6433

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数量单价合计
1
¥2.5312
2.5312
10
¥1.7289
17.289
100
¥0.72207
72.207
1,000
¥0.49155
491.55
10,000
¥0.32996
3299.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
170 mA
Rds On-漏源导通电阻
5.8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS84
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
65 mS
下降时间
20.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16.2 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.6 ns
典型接通延迟时间
6.7 ns
零件号别名
BSS84PH6433XT BSS84PH6433XTMA1 SP000924084
单位重量
50 mg
商品其它信息
优势价格,BSS84P H6433的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
1:¥65.1558
10:¥58.9408
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1:¥1.5368
10:¥1.3786
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:454188
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MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
1:¥20.5208
10:¥17.4472
100:¥13.9103
500:¥12.2153
1,000:¥10.0683
5,000:¥10.0683
参考库存:12068
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
1,000:¥5.8534
5,000:¥5.8534
参考库存:25923
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