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分立半导体
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BSC097N06NSTATMA1

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数量单价合计
5,000
¥2.7459
13729.5
10,000
¥2.6329
26329
25,000
¥2.5538
63845
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
46 A
Rds On-漏源导通电阻
9.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
36 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
BSC097N06NST SP001666496
商品其它信息
优势价格，BSC097N06NSTATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PDZ6.8BF
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 PDZ6.8B/SOD2/REEL 13" Q1/T1 *S
10,000:¥0.2147
20,000:¥0.1921
50,000:¥0.17628
100,000:¥0.14577
参考库存:50075
MURS340SHE3_A/H
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 3A,400V,50ns SMB, UF Rect, SMD
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.8984
500:¥1.5594
750:¥1.2091
参考库存:50078
HN1D01FU,LF(T
Toshiba
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 High Speed Switching Diode
1:¥3.2996
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:50081
1N4006GP-E3/73
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 Vr/800V Io/1A Glass Passivated
1:¥3.3787
10:¥1.9662
100:¥1.1413
500:¥0.92999
3,000:¥0.62263
6,000:查看
参考库存:50084
1N6123AUS
Semtech
分立半导体
稳压二极管 MIL 500 W BIPOLAR TVS, SQUARE:SQUARE
1:¥159.8272
5:¥152.6856
10:¥147.8379
25:¥135.8486
参考库存:50087
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