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分立半导体
ZXTP2012GTA参考图片

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ZXTP2012GTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V PNP Low Sat
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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.3788
53.788
100
¥4.1358
413.58
500
¥3.6612
1830.6
1,000
¥2.8815
2881.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 60 V
集电极—基极电压 VCBO
- 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
- 195 mV
最大直流电集电极电流
5.5 A
增益带宽产品fT
120 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTP2012
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 5.5 A
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,ZXTP2012GTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
500:¥18.2156
参考库存:1951
分立半导体
肖特基二极管与整流器 60 Volt 30A Dual Common-Cathode
1:¥17.063
10:¥14.1363
100:¥10.9836
500:¥9.605
800:¥7.91
参考库存:2057
分立半导体
稳压二极管 5.6V 5W
1:¥3.3787
10:¥2.6216
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
参考库存:4795
分立半导体
MOSFET 250V Vds 20V Vgs TO-220AB
1:¥22.7469
10:¥18.9049
100:¥15.5262
250:¥15.0629
参考库存:1811
分立半导体
MOSFET AFSM T6 40V SG NCH
1:¥40.2619
10:¥34.1938
100:¥29.6625
250:¥28.1257
3,000:¥20.2044
参考库存:4250
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