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分立半导体
IHW30N135R3FKSA1参考图片

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IHW30N135R3FKSA1

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数量单价合计
1
¥38.8833
38.8833
10
¥33.0412
330.412
100
¥28.6568
2865.68
250
¥27.1991
6799.775
500
¥24.3628
12181.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1350 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
349 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW30N135R3 IHW3N135R3XK SP000989496
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IHW30N135R3FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V NPN & PNP
1:¥1.7628
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:75309
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 200MW 47K
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:5642
分立半导体
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥3.842
10:¥2.9606
100:¥2.1922
500:¥1.808
1,000:¥1.4012
3,000:¥1.4012
参考库存:2594
分立半导体
稳压二极管 1.0W 33V
1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
9,000:¥0.89157
参考库存:13717
分立半导体
稳压二极管 4.7 Volt 0.35W 5% AUTO
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:3169
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