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分立半导体
IKW40N60H3参考图片

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IKW40N60H3

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库存:5,089(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.1828
40.1828
10
¥34.1938
341.938
100
¥29.5834
2958.34
250
¥28.1257
7031.425
500
¥25.199
12599.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
306 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW40N60H3FKSA1 IKW4N6H3XK SP000769928
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,IKW40N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 24V 5.0W
1:¥7.2998
10:¥5.989
100:¥4.9833
500:¥3.8533
1,400:¥3.4804
参考库存:4790
分立半导体
稳压二极管 150mW 7.5V Zener
1:¥3.2318
10:¥2.0679
100:¥0.92999
1,000:¥0.59212
4,000:¥0.44522
参考库存:6493
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10 Amp 100 Volt Dual
1:¥7.7631
10:¥6.8365
25:¥6.2037
100:¥5.4353
800:¥3.3222
2,400:查看
参考库存:4171
分立半导体
MOSFET 600V N-Channel MOSFET SuperFET II
1:¥19.9784
10:¥16.9839
100:¥13.6052
500:¥11.8311
参考库存:3680
分立半导体
整流器 600V 16A Std. Recovery
1:¥53.8671
10:¥48.4092
25:¥44.1039
100:¥39.8777
参考库存:3596
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