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分立半导体
SI4590DY-T1-GE3参考图片

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SI4590DY-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -100V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
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数量单价合计
1
¥8.6106
8.6106
10
¥7.571
75.71
100
¥5.876
587.6
500
¥4.407
2203.5
1,000
¥3.5595
3559.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
5.6 A, 3.4 A
Rds On-漏源导通电阻
57 mOhms, 183 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11.5 nC, 36 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.6 W, 4.2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI4
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
9 S, 9.3 S
下降时间
12 ns, 25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
73 ns, 80 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns, 42 ns
典型接通延迟时间
32 ns, 55 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SI4590DY-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPL60R650P6SATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 600V 6.7A ThinPAK 5x6
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
5,000:¥4.3957
10,000:查看
参考库存:9719
TK13A60D(STA4,Q,M)
Toshiba
分立半导体
MOSFET N-Ch RDS 0.33 Ohm Yfs 6.5s 10uA 600V
1:¥22.826
10:¥18.3625
100:¥16.6788
250:¥15.0629
2,500:¥10.8367
5,000:查看
参考库存:7200
STW12NK90Z
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH
1:¥37.8776
10:¥32.1937
100:¥27.8884
250:¥26.5098
参考库存:5947
STTH802SF
STMicroelectronics
分立半导体
整流器 DFD RECTIFIER
1:¥4.3844
10:¥3.5821
100:¥2.3165
1,000:¥1.8532
参考库存:10721
SPD15P10PL G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET P-Ch -100V 15A DPAK-2
1:¥12.8368
10:¥10.9158
100:¥8.6784
500:¥7.6501
1,000:¥6.328
2,500:¥5.8986
参考库存:4739
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