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分立半导体
STGW30V60DF参考图片

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STGW30V60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
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数量单价合计
1
¥24.5888
24.5888
10
¥20.905
209.05
100
¥18.1365
1813.65
250
¥17.1308
4282.7
500
¥15.368
7684
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
258 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW30V60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,STGW30V60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR模块 600 Volt 60 Amp 1256 Amp ITSM
1:¥312.8179
5:¥304.5124
10:¥292.6813
25:¥270.7028
参考库存:24179
分立半导体
SCR PCT 2800V
1:¥22,928.1294
参考库存:24182
分立半导体
SCR模块 2400 Volt 1473 Amp
1:¥2,152.1302
5:¥2,100.4214
10:¥2,048.2493
25:¥2,019.5134
参考库存:24185
分立半导体
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥52.7145
10:¥47.4826
25:¥43.2564
100:¥39.0302
250:¥35.8888
500:¥32.7361
参考库存:24188
分立半导体
分立半导体模块 1400 Volt 60 Amp 1360 Amp IFSM
1:¥284.6922
5:¥277.1664
10:¥266.4088
参考库存:24191
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