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分立半导体
STP11N65M2参考图片

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STP11N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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数量单价合计
1
¥13.0628
13.0628
10
¥11.1418
111.418
100
¥8.9157
891.57
500
¥7.7631
3881.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
670 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
12.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
85 W
配置
Single
商标名
MDmesh II Plus
封装
Tube
产品
Power MOSFET
系列
STP11N65M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
9.5 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STP11N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,000:¥41.5727
参考库存:31757
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