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分立半导体
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PMCM650CUNEZ

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET MOS Discretes WLCSP
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库存：8,146(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0002
40.002
100
¥2.4408
244.08
1,000
¥1.8871
1887.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WLCSP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
5.3 A
Rds On-漏源导通电阻
40 mOhms, 40 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
13 nC, 13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
12500 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Nexperia
正向跨导 - 最小值
22 S, 22 S
下降时间
15 ns, 15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns, 20 ns
工厂包装数量
4500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns, 39 ns
典型接通延迟时间
6 ns, 6 ns
商品其它信息
优势价格，PMCM650CUNEZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SISS23DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥6.6896
10:¥5.3675
100:¥4.068
500:¥3.3674
3,000:¥3.3674
参考库存:39370
DMP2104V-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET -20V -860mA
1:¥3.2318
10:¥2.5086
100:¥1.356
1,000:¥1.02152
3,000:¥0.87575
9,000:¥0.82264
参考库存:5927
SI7772DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥6.2263
10:¥5.0285
100:¥3.8194
500:¥3.1527
3,000:¥3.1527
参考库存:8313
SPD09P06PL G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET P-Ch -60V 9.7A DPAK-2
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.3391
参考库存:7955
BD136
STMicroelectronics
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Audio Amplfier
1:¥3.6838
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
参考库存:6621
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