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分立半导体
BFP 650 H6327参考图片

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BFP 650 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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3.616
10
¥3.0171
30.171
100
¥1.8419
184.19
1,000
¥1.4238
1423.8
3,000
¥1.2091
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP650
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.2 V
集电极连续电流
150 mA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
37 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP650H6327XTSA1 BFP65H6327XT SP000750406
单位重量
31 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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25:¥1,306.7433
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JANS1N6337US/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
50:¥1,189.1781
100:¥1,189.1781
参考库存:49120
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