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分立半导体
BSC028N06LS3GATMA1参考图片

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BSC028N06LS3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥19.21
19.21
10
¥16.3624
163.624
100
¥13.0628
1306.28
500
¥11.4469
5723.45
1,000
¥9.4468
9446.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
132 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
139 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
60 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
77 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
BSC028N06LS3 BSC28N6LS3GXT G SP000453652
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格，BSC028N06LS3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MUN2216T1G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥1.2317
10:¥1.05316
100:¥0.37629
1,000:¥0.24634
3,000:¥0.1921
参考库存:12826
2N6507TG
Littelfuse
分立半导体
SCR 400V 25A
1:¥21.7412
10:¥17.5941
100:¥14.0572
500:¥12.2944
参考库存:1682
BCV62,235
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MATCHED PAIR
1:¥2.9154
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
10,000:¥0.72998
20,000:查看
参考库存:8444
MBR20200CT-BP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A, 200V Schottky Rectifier
1:¥7.7631
10:¥6.5201
100:¥5.537
250:¥4.859
参考库存:1889
BZT52C16T-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
稳压二极管 100mW 16V
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
1,000:¥0.43053
8,000:¥0.27685
24,000:查看
参考库存:8960
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