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分立半导体
SIHG24N65E-GE3参考图片

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SIHG24N65E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
  • 数据手册下载
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库存:3,328(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.3357
47.3357
10
¥39.1884
391.884
100
¥32.2728
3227.28
250
¥31.2784
7819.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
145 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
81 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
E
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
69 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
84 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SIHG24N65E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET P Chan-20V-2.5A Mid-PowerSwitching
1:¥6.1472
10:¥5.0511
100:¥3.2544
1,000:¥2.6103
3,000:¥2.2035
参考库存:9211
分立半导体
肖特基二极管与整流器 25A Trench SBR 60V 25A 0.6Vf 0.15mA
1:¥9.605
10:¥8.2264
100:¥6.2828
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
2,500:¥4.3844
参考库存:6898
分立半导体
稳压二极管 3W 8.2V
1:¥4.3844
10:¥2.8702
100:¥1.9323
500:¥1.5933
7,500:¥0.9379
22,500:查看
参考库存:11596
分立半导体
MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
1,500:¥1.4577
参考库存:8927
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.5A
1:¥2.7685
10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:22080
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