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BSZ120P03NS3EGATMA1参考图片

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BSZ120P03NS3EGATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
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数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.3166
43.166
100
¥2.7911
279.11
1,000
¥2.2374
2237.4
5,000
¥1.8871
9435.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
BSZ120P03
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
22 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
BSZ120P03NS3E BSZ12P3NS3EGXT G SP000709730
商品其它信息
优势价格，BSZ120P03NS3EGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CMR2U-02 BK
Central Semiconductor
分立半导体
整流器 2.0 Amp Ultra Fast Rec 200Vrrm 200Vr
2,500:¥2.147
10,000:¥2.0566
25,000:¥1.9775
参考库存:34219
SS115LS RQG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1A, 150V, SCHOTTKY
20,000:¥0.45313
参考库存:34222
1PGSMA4742 M2G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管
7,500:¥0.69947
参考库存:34225
1SMA4752HR2G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 1W, 33V, 5% ZENER DIODE, SMA
1:¥4.2262
10:¥2.9945
100:¥1.7854
1,000:¥0.75258
7,500:¥0.52206
22,500:查看
参考库存:34228
BZD17C13P RQG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 0,8W, 13V, ZENER
10,000:¥0.66105
20,000:¥0.62263
50,000:¥0.5537
参考库存:34231
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