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分立半导体
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BSC0911NDATMA1

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数量单价合计
1
¥12.6786
12.6786
10
¥10.7576
107.576
100
¥8.6106
861.06
500
¥7.571
3785.5
5,000
¥5.6274
28137
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TISON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
3.7 mOhms, 1.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
3 nC, 8.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
77 S, 130 S
下降时间
2.2 ns, 4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.8 ns, 5.4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns, 25 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns, 3.8 ns
零件号别名
BSC0911ND BSC911NDXT SP000934746
商品其它信息
优势价格，BSC0911NDATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP196WH6327XTSA1
Infineon Technologies
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.616
10:¥2.3617
100:¥1.01474
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.59212
参考库存:9146
IPP100N08S2-07
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS
1:¥18.9049
10:¥16.0573
100:¥12.8368
500:¥11.30
参考库存:3762
BZT585B36T-7
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 350mW 36V Zener AEC-Q101 Qualified
1:¥1.6159
10:¥1.13
100:¥0.47686
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.25312
参考库存:12264
UDZVFHTE-174.3B
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 4.17-4.43V 5mA SOD-323FL; UMD2
1:¥2.147
10:¥1.5029
100:¥0.62263
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.33787
参考库存:9266
IPS60R800CEAKMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET CONSUMER
1:¥5.763
10:¥4.8025
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
参考库存:4768
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