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分立半导体
R8002ANJFRGTL参考图片

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R8002ANJFRGTL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Nch 800V Vdss 2A ID TO-263(D2PAK); LPTS
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数量单价合计
1
¥17.063
17.063
10
¥14.5205
145.205
100
¥11.6051
1160.51
500
¥10.1474
5073.7
1,000
¥8.3733
8373.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263S-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
4.3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
0.5 S
下降时间
70 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
20 ns
商品其它信息
优势价格,R8002ANJFRGTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管
50:¥1,172.9626
参考库存:48835
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.1 50 Ohm, 17 A MDmesh
1:¥25.199
10:¥21.4361
100:¥18.5207
250:¥17.5941
参考库存:2051
分立半导体
整流器 3A 50V 20NS UltraFast
1,200:¥3.5934
2,400:¥3.0849
4,800:¥2.8137
9,600:¥2.5651
24,000:¥2.5199
参考库存:48840
分立半导体
稳压二极管 Temperature Compensated
50:¥1,534.5739
参考库存:48843
分立半导体
桥式整流器
1,000:¥3.7855
2,000:¥3.2431
4,000:¥2.9606
10,000:¥2.7007
24,000:¥2.6555
参考库存:48846
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