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分立半导体
IPB50N10S3L-16参考图片

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IPB50N10S3L-16

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
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数量单价合计
1
¥11.3678
11.3678
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8026
3401.3
1,000
¥5.6274
5627.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
15.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
64 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPB50N10S3L16ATMA1 IPB5N1S3L16XT SP000386183
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB50N10S3L-16的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BA159DGP-E3/54
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1.0 Amp 800 Volt
11,000:¥0.56839
22,000:¥0.52997
参考库存:26653
BZD17C47P-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219 ECO-E3
50,000:¥0.95259
参考库存:26656
1N5375E3/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,000:¥14.8256
2,000:¥14.1363
5,000:¥12.9837
参考库存:26659
AZ23B10-G3-08
Vishay
分立半导体
稳压二极管 10 Volt 0.3W 2% CA
15,000:¥0.45313
参考库存:26662
SMBJ5947CE3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥7.3337
6,000:¥7.0738
9,000:¥6.5314
参考库存:26665
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