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分立半导体
VNP28N04-E参考图片

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VNP28N04-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 42V 28A OmniFET
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1
¥19.8993
19.8993
10
¥16.9048
169.048
100
¥13.5261
1352.61
500
¥11.8311
5915.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
42 V
Id-连续漏极电流
28 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Pd-功率耗散
83 W
资格
AEC-Q101
封装
Tube
系列
VNP28N04
类型
Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
18 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，VNP28N04-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DRC3144G0L
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10,000:¥0.56839
20,000:¥0.53788
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10:¥250.1933
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参考库存:25539
NTMFS4C53NT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V
暂无价格
参考库存:25542
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