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分立半导体
SIHB100N60E-GE3参考图片

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SIHB100N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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库存:2,280(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.1884
39.1884
10
¥32.431
324.31
100
¥26.7358
2673.58
250
¥25.8996
6474.9
500
¥23.2102
11605.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
50 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
34 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
21 ns
商品其它信息
优势价格,SIHB100N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 60V 5A MEGA Schottky
1:¥4.7686
10:¥3.9324
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
5,000:¥1.7176
参考库存:27656
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥3.4578
10:¥2.9041
100:¥1.7741
1,000:¥1.3673
2,000:¥1.1639
参考库存:13733
分立半导体
MOSFET 650V 30A E-Mode GaN
1:¥180.2689
10:¥174.4268
25:¥166.3586
250:¥154.5275
参考库存:3226
分立半导体
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
2,500:¥3.729
10,000:¥3.5934
25,000:¥3.4804
参考库存:50527
分立半导体
MOSFET N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in DPAK package
1:¥14.2945
10:¥12.1362
100:¥9.6841
500:¥8.5315
2,500:¥6.5427
5,000:查看
参考库存:7202
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