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分立半导体
BSO033N03MSGXUMA1参考图片

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BSO033N03MSGXUMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 22A DSO-8 OptiMOS 3M
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数量单价合计
1
¥9.379
9.379
10
¥7.9891
79.891
100
¥6.1359
613.59
500
¥5.4353
2717.65
1,000
¥4.2827
4282.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
OptiMOS 3M
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
46 S
下降时间
14 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
12.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
27 ns
零件号别名
BSO033N03MS BSO33N3MSGXT G SP000446072
单位重量
175 mg
商品其它信息
优势价格,BSO033N03MSGXUMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 15A 45V
1:¥7.8422
10:¥6.6896
100:¥5.1302
500:¥4.5313
800:¥3.5821
参考库存:5923
分立半导体
MOSFET NCH 1.7A 30V SOT-363
1:¥3.9211
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02943
9,000:¥0.96841
参考库存:10874
分立半导体
整流器 1.0A 400V
1:¥3.3787
10:¥2.3843
100:¥1.09158
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.71416
参考库存:9923
分立半导体
双向可控硅 600V 8A 35-35-35mA
1:¥13.447
10:¥10.7576
100:¥8.2264
500:¥7.2885
1,000:¥5.7743
2,500:¥5.7743
参考库存:6798
分立半导体
MOSFET 24A 60V N-Channel
1:¥7.2207
10:¥5.9438
100:¥3.842
1,000:¥3.0736
2,500:¥2.5877
参考库存:9414
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