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分立半导体
BSZ16DN25NS3 G参考图片

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BSZ16DN25NS3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:5,992(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.7577
12.7577
10
¥10.8367
108.367
100
¥8.6784
867.84
500
¥7.6049
3802.45
5,000
¥5.65
28250
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
10.9 A
Rds On-漏源导通电阻
146 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
7 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3GXT SP000781800
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,BSZ16DN25NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6
1:¥18.3625
10:¥15.594
100:¥12.5204
500:¥10.9158
1,000:¥9.0626
参考库存:3759
分立半导体
SCR SMD SCR
1:¥11.526
10:¥10.2152
100:¥8.2264
500:¥7.1416
1,000:¥5.9212
参考库存:4817
分立半导体
整流器 600V 15A TO-220 Fred Pt
1:¥8.7575
10:¥7.2207
100:¥5.537
500:¥4.7686
1,000:¥3.7629
参考库存:3743
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE: 10A 600V
1:¥33.7305
10:¥28.6568
100:¥24.8148
250:¥23.5944
1,000:¥17.8314
2,000:查看
参考库存:3393
分立半导体
桥式整流器 400 Volt 15 Amp Glass Passivated
1:¥33.8096
10:¥28.0466
100:¥23.052
200:¥22.3627
参考库存:3564
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