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分立半导体
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ZVN4525GTA

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数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.4805
54.805
100
¥3.5369
353.69
1,000
¥2.825
2825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
310 mA
Rds On-漏源导通电阻
8.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
2.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
系列
ZVN4525
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
0.3 S
下降时间
3.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.7 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11.4 ns
典型接通延迟时间
1.25 ns
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,ZVN4525GTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥13.9103
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1,000:¥10.0683
5,000:¥10.0683
参考库存:12068
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10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
1,000:¥5.8534
5,000:¥5.8534
参考库存:25923
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