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分立半导体
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ZXMN10A07ZTA

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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.616
36.16
100
¥2.2035
220.35
1,000
¥1.7063
1706.3
2,000
¥1.4577
2915.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
2.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
系列
ZXMN10A
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
2.6 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
1.6 S
下降时间
2.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.1 ns
典型接通延迟时间
1.8 ns
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
优势价格，ZXMN10A07ZTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFPS3810PBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET 100V SINGLE N-CH 9mOhms 260nC
1:¥67.3932
10:¥60.8618
25:¥58.0933
100:¥50.4093
参考库存:9070
2SK2145-BL(TE85L,F
Toshiba
分立半导体
JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
1:¥5.3788
10:¥4.1245
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
3,000:¥1.7967
参考库存:17403
SPD02N80C3ATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET LOW POWER_LEGACY
1:¥8.2264
10:¥7.0625
100:¥5.424
500:¥4.7912
1,000:¥3.7855
2,500:¥3.7855
参考库存:58571
00670
Vicor
分立半导体
整流器 Diode, 1 Amp
1:¥11.6842
5:¥11.3678
10:¥11.30
25:¥10.6785
50:¥10.2943
参考库存:3461
BSC070N10NS3 G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥7.0286
1,000:¥5.5483
5,000:¥5.5483
参考库存:13281
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