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分立半导体
NTGD4167CT1G参考图片

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NTGD4167CT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET COMP 30V 2.9A 0.090 TSOP6
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.6103
26.103
100
¥1.5933
159.33
1,000
¥1.2317
1231.7
3,000
¥1.04525
3135.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
2.6 A, 1.9 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms, 300 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V, - 2.5 V
Qg-栅极电荷
3.7 nC, 3.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.94 mm
长度
3 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTGD4167C
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
1.5 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
2.6 S, 2.6 S
下降时间
2 ns, 8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns, 8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns, 22 ns
典型接通延迟时间
7 ns, 8 ns
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格，NTGD4167CT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MBRF1645 C0
Taiwan Semiconductor
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肖特基二极管与整流器 16 Amp 45 Volt Single
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20,000:¥0.43053
50,000:¥0.3842
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桥式整流器 6A,50V,GP INLINE BRIDGE RECTIFIER
2,000:¥3.7064
2,500:¥3.3448
5,000:¥3.277
10,000:¥3.0058
25,000:¥2.8928
参考库存:28017
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