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分立半导体
BSS138DW-7-F参考图片

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BSS138DW-7-F

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库存:346,630(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.6781
26.781
100
¥1.4577
145.77
1,000
¥1.09158
1091.58
3,000
¥0.94468
2834.04
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
3.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
BSS138
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.35 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
100 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,BSS138DW-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥1.7515
100:¥0.9379
500:¥0.75258
3,000:¥0.43844
9,000:查看
参考库存:6711
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1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
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10:¥134.244
20:¥124.1757
50:¥117.5652
参考库存:3998
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